一種碳化硅結(jié)勢(shì)壘二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710749274.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107393970B 公開（公告）日 2020-02-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN107393970B 申請(qǐng)公布日 2020-02-14
分類號(hào) H01L29/872;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蒲紅斌;王曦;陳春蘭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫市乾野微納電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安弘理專利事務(wù)所 代理人 李娜
地址 214000 江蘇省無(wú)錫市濱湖區(qū)建筑西路777號(hào)A3幢6層613、614
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅結(jié)勢(shì)壘二極管，將溝槽結(jié)構(gòu)引入4H?SiC結(jié)勢(shì)壘二極管中，有效的提高4H?SiC場(chǎng)控二極管的耐壓性，改善了高壓4H?SiC結(jié)勢(shì)壘二極管的阻斷性能；本發(fā)明二極管使用外延形成用于陽(yáng)極接觸的重?fù)诫s接觸區(qū)，通過(guò)刻蝕技術(shù)在重?fù)诫s接觸區(qū)與溝道擴(kuò)展區(qū)制作溝槽的方法，以及離子注入后無(wú)碳膜保護(hù)的激活退火方法，均有效增加了p結(jié)區(qū)結(jié)深，并改善了歐姆接觸陽(yáng)極的接觸特性，降低了器件工藝的復(fù)雜度，提高了器件的可行性。