一種帶有屏蔽柵的超結(jié)IGBT

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201821366866.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN208674122U 公開(kāi)（公告）日 2019-03-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN208674122U 申請(qǐng)公布日 2019-03-29
分類(lèi)號(hào) H01L29/06（2006.01）I; H01L21/331（2006.01）I; H01L29/739（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 秦旭光; 吉煒 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 無(wú)錫市乾野微納電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市順天達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 蔡曉紅;柯夏荷
地址 516000 廣東省惠州市云山西路4號(hào)德威大廈6層07號(hào)A區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種帶有屏蔽柵的超結(jié)IGBT，其包括半導(dǎo)體基板，元胞區(qū)以及終端保護(hù)區(qū)，半導(dǎo)體基板包括第二導(dǎo)電類(lèi)型集電極區(qū)、第一導(dǎo)電類(lèi)型場(chǎng)終止層和至少一層的第一導(dǎo)電類(lèi)型外延層；元胞區(qū)包括若干個(gè)相互并聯(lián)連接的元胞，其包括若干個(gè)元胞溝槽以及填充于元胞溝槽內(nèi)的柵極導(dǎo)電多晶硅和屏蔽柵，元胞溝槽相對(duì)柵極導(dǎo)電多晶硅的槽口兩側(cè)和側(cè)壁上設(shè)有第七氧化層，柵極導(dǎo)電多晶硅和屏蔽柵之間設(shè)有第五氧化層，元胞溝槽相對(duì)屏蔽柵的底部和側(cè)壁上設(shè)有第四氧化層；第一導(dǎo)電類(lèi)型外延層內(nèi)還設(shè)置有P柱，P柱的一端連接第二導(dǎo)電類(lèi)型阱層，另一端朝向第一導(dǎo)電類(lèi)型場(chǎng)終止層延伸。本實(shí)用新型采用屏蔽柵結(jié)構(gòu)，降低了米勒電容，從而降低開(kāi)關(guān)損耗。