超結(jié)碳化硅肖特基二極管
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010582122.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111755531A | 公開（公告）日 | 2020-10-09 |
| 申請公布號 | CN111755531A | 申請公布日 | 2020-10-09 |
| 分類號 | H01L29/872(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 吉煒 | 申請（專利權(quán)）人 | 無錫市乾野微納電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 梁睦宇 |
| 地址 | 214000江蘇省無錫市濱湖區(qū)建筑西路777號A3幢6層613、614 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種超結(jié)碳化硅肖特基二極管，包括碳化硅襯底、外延層、氧化層及金屬電極層，外延層設(shè)置于碳化硅襯底上，外延層上開設(shè)梯形溝槽；氧化層設(shè)置于梯形溝槽內(nèi)，并且氧化層與外延層的傾斜側(cè)壁之間設(shè)置有注入?yún)^(qū)；金屬電極層包括上接觸電極和下接觸電極，上接觸電極設(shè)置于外延層遠離碳化硅襯底上，下接觸電極設(shè)置于碳化硅襯底上。本發(fā)明通過在外延層上開設(shè)梯形溝槽，并且在外延層和氧化層之間設(shè)置注入?yún)^(qū)，即通過在梯形溝槽側(cè)壁注入既可以作為超結(jié)效應(yīng)的負電荷耗盡區(qū)，也可以作為結(jié)勢壘肖特基效應(yīng)的埋結(jié)，因此這種結(jié)構(gòu)的二極管結(jié)合了超結(jié)結(jié)構(gòu)的耐高電壓和結(jié)勢壘肖特基二極管的低反向漏電電流，提升了二極管的性能。?? |
