一種SiC溝槽型臺階狀結(jié)勢壘肖特基二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710792562.8 申請日 -
公開（公告）號 CN107591455B 公開（公告）日 2020-02-18
申請公布號 CN107591455B 申請公布日 2020-02-18
分類號 H01L29/872;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蒲紅斌;王曦;杜利祥;封先鋒;臧源 申請（專利權(quán)）人 無錫市乾野微納電子有限公司
代理機構(gòu) 西安弘理專利事務(wù)所 代理人 王奇
地址 214000 江蘇省無錫市濱湖區(qū)建筑西路777號A3幢6層613、614
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種SiC溝槽型臺階狀結(jié)勢壘肖特基二極管，包括SiC襯底；在SiC襯底上制作有第一外延層，即緩沖層；在第一外延層上制作有第二外延層，即漂移區(qū)；在第二外延層上端表面設(shè)置有多個溝槽結(jié)構(gòu)，包圍溝槽且延伸至溝道區(qū)的p結(jié)區(qū)；還包括位于諸溝槽外圍且封閉的結(jié)終端；溝槽底、溝槽側(cè)壁以及溝槽之間第二外延層表面覆蓋有肖特基金屬，肖特基金屬覆蓋有陽極壓焊塊；覆蓋陽極壓焊塊邊緣及結(jié)終端的絕緣介質(zhì)薄膜，稱為鈍化層；SiC襯底背面覆蓋有歐姆金屬，歐姆金屬覆蓋有陰極壓焊塊；肖特基金屬與陽極壓焊塊共同組成陽極，歐姆金屬與陰極壓焊塊共同組成陰極。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，更好的兼顧了器件的正向特性與反向特性。