橫向過生長一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310277894.4 申請日 -
公開（公告）號 CN103383959B 公開（公告）日 2015-10-28
申請公布號 CN103383959B 申請公布日 2015-10-28
分類號 H01L29/775(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郝躍;馬曉華;湯國平;陳偉偉;趙勝雷 申請（專利權(quán)）人 云南凝慧電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 陜西電子工業(yè)專利中心 代理人 王品華;朱紅星
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種橫向過生長一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法，主要解決現(xiàn)有一維電子氣器件高溫高壓特性、頻率特性及功率特性較差的問題。該器件自下而上包括襯底、緩沖層、勢壘層、鈍化層和保護(hù)層；勢壘層上的兩端分別為源極和漏極，鈍化層位于源極和漏極之間的勢壘層上，該鈍化層上開有柵槽，柵槽中設(shè)有柵極；勢壘層采用AlGaN；緩沖層采用GaN，該緩沖層中設(shè)有按周期性排列的掩蔽層條，每兩個掩蔽層條之間的間隔為納米量級，以形成一維電子氣。本發(fā)明與Si基和GaAs基一維電子氣器件相比，由于采用材料特性突出的寬禁帶半導(dǎo)體GaN，故具有很好的高溫高壓特性、頻率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一維電子氣器件。