基于雙線性漸變Al組分AlGaN電子發(fā)射層GaN耿氏二極管及制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410272508.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104009157B 公開（公告）日 2016-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN104009157B 申請(qǐng)公布日 2016-10-12
分類號(hào) H01L47/02(2006.01)I;H01L47/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊林安;許詳;李亮;張進(jìn)成;郝躍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 云南凝慧電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 陜西電子工業(yè)專利中心 代理人 王品華;朱紅星
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于雙線性漸變Al組分AlGaN電子發(fā)射層的GaN耿氏二極管及其制作方法，主要解決現(xiàn)有耿氏器件輸出功率低、散熱性差的問題。該二極管包括主體部分和輔體部分，該主體部分自下而上為：SiC襯底、AlN成核層、n+GaN陰極歐姆接觸層、電子發(fā)射層、n?GaN有源層和n+GaN陽極歐姆接觸層；輔體部分包括環(huán)形電極、襯底電極、圓形電極、鈍化層、開孔和通孔。其中：電子發(fā)射層厚度為200～600nm，且采用自下而上先由0％線性漸變到100％，再由100％線性漸變到0％的雙線性漸變Al組分AlGaN結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能顯著減小“死區(qū)”長度、降低位錯(cuò)濃度，實(shí)現(xiàn)大功率輸出，適用于太赫茲頻段工作。