基于復合漏極的槽柵高壓器件及其制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201410033307.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN103839996B | 公開(公告)日 | 2016-08-17 |
申請公布號 | CN103839996B | 申請公布日 | 2016-08-17 |
分類號 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 馮倩;杜鍇;馬曉華;鄭雪峰;代波;郝躍 | 申請(專利權(quán))人 | 云南凝慧電子科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京世譽鑫誠專利代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 郭官厚 |
地址 | 710071 陜西省西安市太白南路2號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于復合漏極的槽柵高壓器件及其制作方法,自下而上依次包括襯底、GaN緩沖層、GaN溝道層、AlN隔離層、本征AlGaN層和AlGaN勢壘層,所述AlGaN勢壘層上間隔設(shè)有源極、柵極和復合漏極,所述柵極和復合漏極之間還設(shè)有線性AlGaN層,線性AlGaN層上設(shè)有p?GaN層,P?GaN層上設(shè)有基極,上述結(jié)構(gòu)的頂層還間隔淀積有鈍化層,所述鈍化層的間隔內(nèi)淀積有加厚電極。本發(fā)明在器件導通時的導通電阻得到減小,而在截止狀態(tài)時的擊穿電壓得到提高,兼顧了器件擊穿電壓的提高與導通電阻的減小,同時采用槽柵結(jié)構(gòu),增強了柵極對溝道2DEG的調(diào)控作用,提高了器件的頻率性能。 |
