二次生長的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310280220.X 申請日 -
公開（公告）號 CN103367429B 公開（公告）日 2015-10-28
申請公布號 CN103367429B 申請公布日 2015-10-28
分類號 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬曉華;郝躍;湯國平;陳偉偉;趙勝雷 申請（專利權(quán)）人 云南凝慧電子科技有限公司
代理機構(gòu) 陜西電子工業(yè)專利中心 代理人 王品華;朱紅星
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種二次生長的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法，主要解決現(xiàn)有一維電子氣器件高溫高壓特性、頻率特性及功率特性較差的問題。該器件自下而上包括襯底、緩沖層、勢壘層、鈍化層和保護層；勢壘層上的兩端分別為源極和漏極，鈍化層位于源極和漏極之間的勢壘層上，該鈍化層上開有柵槽，柵槽中設(shè)有柵極；緩沖層采用GaN，勢壘層采用AlGaN；緩沖層上刻蝕有若干周期性排列的寬度為納米量級的量子線凹槽和量子線凸臺，在量子線凹槽和量子線凸臺正下方異質(zhì)結(jié)中形成一維電子氣。本發(fā)明與Si基和GaAs基一維電子氣器件相比，具有很好的高溫高壓特性、頻率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一維電子氣器件。