基于刻蝕的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310280216.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103367428B 公開（公告）日 2015-10-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN103367428B 申請(qǐng)公布日 2015-10-28
分類號(hào) H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬曉華;陳偉偉;湯國(guó)平;郝躍;趙勝雷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 云南凝慧電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 陜西電子工業(yè)專利中心 代理人 王品華;朱紅星
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于刻蝕的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法，主要解決現(xiàn)有一維電子氣器件高溫高壓特性、頻率特性及功率特性較差的問題。該器件自下而上包括襯底、緩沖層、勢(shì)壘層、鈍化層和保護(hù)層；勢(shì)壘層上的兩端分別為源極和漏極，鈍化層位于源極和漏極之間的勢(shì)壘層上，該鈍化層上開有柵槽，柵槽中設(shè)有柵極。勢(shì)壘層上刻蝕有若干均勻排列的量子線凹槽，得到若干寬度為納米量級(jí)的量子線凸臺(tái)，在量子線凸臺(tái)的異質(zhì)結(jié)中形成一維電子氣。緩沖層采用GaN；勢(shì)壘層采用AlGaN。本發(fā)明與Si基和GaAs基器件相比，具有很好的高溫高壓特性、頻率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一維電子氣器件。