加源場板耗盡型絕緣柵AlGaN/GaN器件結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410025516.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103779406B 公開（公告）日 2016-05-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN103779406B 申請(qǐng)公布日 2016-05-04
分類號(hào) H01L29/778(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮倩;杜鍇;馬曉華;鄭雪峰;代波;郝躍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 云南凝慧電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京方圓嘉禾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 董芙蓉
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種加源場板耗盡型絕緣柵AlGaN/GaN器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，所述結(jié)構(gòu)包括襯底、本征GaN層、AlN隔離層、本征AlGaN層、AlGaN摻雜層、柵電極、源電極、漏電極、源場板、絕緣層、鈍化層以及用于調(diào)節(jié)二維電子氣濃度的硅化物，所述的源電極、漏電極以及絕緣層位于AlGaN摻雜層之上，柵電極和硅化物位于絕緣層之上，源場板與源電極電連接，所述硅化物會(huì)對(duì)絕緣層、本征AlGaN層和AlGaN摻雜層引入壓應(yīng)力，位于硅化物之間的本征AlGaN層和AlGaN摻雜層受到張應(yīng)力，通過使塊間距小于塊寬度，使得本征AlGaN層和AlGaN摻雜層總體獲得張應(yīng)力，從而使溝道中2DEG得到增強(qiáng)。