一種基于槽柵高壓器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410033269.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN103794643B 公開（公告）日 2016-03-02
申請公布號(hào) CN103794643B 申請公布日 2016-03-02
分類號(hào) H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮倩;杜鍇;馬曉華;鄭雪峰;代波;郝躍 申請（專利權(quán)）人 云南凝慧電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京世譽(yù)鑫誠專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郭官厚
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于槽柵高壓器件及其制作方法，自下而上依次包括襯底、GaN緩沖層、GaN溝道層、AlN隔離層、本征AlGaN層和AlGaN勢壘層，所述AlGaN勢壘層上間隔設(shè)有源極、柵極和復(fù)合漏極，所述柵極和復(fù)合漏極之間還設(shè)有線性AlGaN勢壘層，AlGaN勢壘層的部分區(qū)域上方外延有線性AlGaN層，線性AlGaN層的部分區(qū)域上方外延有p-GaN層，P-GaN層上設(shè)有基極，上述結(jié)構(gòu)的頂層還間隔淀積有鈍化層，所述鈍化層的間隔內(nèi)淀積有加厚電極。本發(fā)明在器件導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻得到減小，而在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)的擊穿電壓得到提高，兼顧了器件擊穿電壓的提高與導(dǎo)通電阻的減小，同時(shí)采用槽柵結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)了柵極對溝道2DEG的調(diào)控作用，提高了器件的頻率性能。