基于a面6H-SiC襯底上a面GaN緩沖層上InN半導(dǎo)體器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310237610.9 申請日 -
公開（公告）號 CN103320764B 公開（公告）日 2015-10-21
申請公布號 CN103320764B 申請公布日 2015-10-21
分類號 C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 許晟瑞;曹榮濤;張進成;郝躍;哈微;葛莎莎 申請（專利權(quán)）人 云南凝慧電子科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于a面6H-SiC襯底上a面GaN緩沖層上InN半導(dǎo)體器件的制備方法，步驟是：（1）將a面6H-SiC襯底置于MOCVD反應(yīng)室中，并向反應(yīng)室通入氫氣與氨氣的混合氣體，對襯底進行熱處理；（2）在a面SiC襯底上生長厚度為100-200nm，溫度為600-800℃的無應(yīng)力AlInN成核層；（3）在所述無應(yīng)力AlInN成核層之上生長厚度為1000-2000nm，鎵源流量為5-100μmol/min，氨氣流量為1000-10000sccm的高V-Ш比a面GaN緩沖層；（4）在GaN緩沖之上用PECVD在200-250℃淀積3-9s的SiNx插入層；（5）在SiNx插入層之上生長厚度為2000-4000nm，鎵源流量為50-200μmol/min，氨氣流量為1000-3000sccm的低V-Ш比a面GaN緩沖層；（6）在緩沖層上再生長厚度為15-30nm，銦源流量為90-250μmol/min，氨氣流量為1000-5000sccm的InN材料。本發(fā)明具有質(zhì)量高、表面平整的優(yōu)點，可用于制作InN基發(fā)光器件。