一種側(cè)墻肖特基接觸的碳化硅溝槽SBD器件元胞結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022448627.7 申請日 -
公開（公告）號 CN212967715U 公開（公告）日 2021-04-13
申請公布號 CN212967715U 申請公布日 2021-04-13
分類號 H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋召海 申請（專利權(quán)）人 華芯威半導體科技（北京）有限責任公司
代理機構(gòu) 北京邦創(chuàng)至誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 張宇鋒
地址 100744北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)地盛西路6號院3號樓3層302-2
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種側(cè)墻肖特基接觸的碳化硅溝槽SBD器件元胞結(jié)構(gòu)，所述元胞結(jié)構(gòu)的溝槽底部及頂部凸起塊的上部設置有離子注入形成的P型層，在溝槽的側(cè)面淀積了金屬并形成側(cè)面的肖特基接觸，即側(cè)墻肖特基接觸，所述側(cè)墻肖特基接觸的外圍包裹了陽極金屬層。本申請中P型區(qū)將側(cè)墻的肖特基區(qū)包裹屏蔽住，實現(xiàn)肖特基區(qū)表面電場的減弱與屏蔽；而溝槽的底部表面及頂部凸起塊的頂部表面處P型層具有表面高濃度分布，與陽極金屬間形成歐姆接觸，以增強器件的抗浪涌電流能力。??