一種側(cè)墻肖特基接觸的碳化硅溝槽SBD器件元胞結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202022448627.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212967715U | 公開（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212967715U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-13 |
| 分類號(hào) | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 宋召海 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 華芯威半導(dǎo)體科技（北京）有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京邦創(chuàng)至誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張宇鋒 |
| 地址 | 100744北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)地盛西路6號(hào)院3號(hào)樓3層302-2 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種側(cè)墻肖特基接觸的碳化硅溝槽SBD器件元胞結(jié)構(gòu)，所述元胞結(jié)構(gòu)的溝槽底部及頂部凸起塊的上部設(shè)置有離子注入形成的P型層，在溝槽的側(cè)面淀積了金屬并形成側(cè)面的肖特基接觸，即側(cè)墻肖特基接觸，所述側(cè)墻肖特基接觸的外圍包裹了陽極金屬層。本申請(qǐng)中P型區(qū)將側(cè)墻的肖特基區(qū)包裹屏蔽住，實(shí)現(xiàn)肖特基區(qū)表面電場(chǎng)的減弱與屏蔽；而溝槽的底部表面及頂部凸起塊的頂部表面處P型層具有表面高濃度分布，與陽極金屬間形成歐姆接觸，以增強(qiáng)器件的抗浪涌電流能力。?? |
