一種高精度γ射線傳感器的硅芯片工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011631036.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112786733A 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN112786733A 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01L31/119;H01L31/0312;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何少偉;馬敏輝;宋召海 申請（專利權(quán)）人 華芯威半導(dǎo)體科技（北京）有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京邦創(chuàng)至誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張宇鋒
地址 100744 北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)地盛西路6號院3號樓3層302-2
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高精度γ射線傳感器的硅芯片工藝方法，采用SiC厚氧化層工藝，便于產(chǎn)品工藝得到工程化應(yīng)用。本申請中的硅芯片在N型SiC材料上制作，為耗盡型金屬柵MOS管，表面用鋁作為柵極和引線極，通過干法腐蝕工藝形成γ射線傳感器硅芯片幾何結(jié)構(gòu)。感應(yīng)芯片和基準(zhǔn)芯片通過焊錫貼于金屬基板，金屬基板接地。柵極和源極接地，感應(yīng)芯片和基準(zhǔn)芯片漏極通過恒流源注入相同的電流，輸出端將由輻照劑量的不同輸出不同的電壓信號。