一種高精度壓力傳感器的硅芯片工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011631013.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112834083A 公開（公告）日 2021-05-25
申請公布號 CN112834083A 申請公布日 2021-05-25
分類號 G01L1/00;B81C1/00 分類 測量；測試;
發(fā)明人 何少偉;馬敏輝;宋召海 申請（專利權(quán)）人 華芯威半導體科技（北京）有限責任公司
代理機構(gòu) 北京邦創(chuàng)至誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 張宇鋒
地址 100744 北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)地盛西路6號院3號樓3層302-2
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了發(fā)明涉及一種高精度壓力傳感器的硅芯片工藝方法，其采用CMOS集成電路中常用的深槽刻蝕工藝，提高了芯片的靈敏度、采用<110>晶向硅襯底材料，降低了芯片的熱阻系數(shù)，和壓力傳感器常規(guī)工藝相比提升了器件參數(shù)性能、降低了制作成本，同時本芯片工藝和MOS基準工藝兼容，工藝操作簡單，降低加工成本，安全可靠，產(chǎn)品工藝易于推廣應用。