一種改善SiC功率器件封裝熱均勻性的封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011628481.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112670254A 公開（公告）日 2021-04-16
申請公布號 CN112670254A 申請公布日 2021-04-16
分類號 H01L23/373;H01L23/492;H01L25/11;H01L25/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何少偉;馬敏輝;宋召海 申請（專利權(quán)）人 華芯威半導體科技（北京）有限責任公司
代理機構(gòu) 北京邦創(chuàng)至誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 張宇鋒
地址 100744 北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)地盛西路6號院3號樓3層302-2
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善SiC功率器件封裝熱均勻性的封裝結(jié)構(gòu)，包括SiC芯片一、SiC芯片二、DBC上銅層一、DBC上銅層二、DBC上銅層三、DBC陶瓷層、DBC下銅層以及基板；所述DBC上銅層一、DBC上銅層二、DBC上銅層三以及所述DBC下銅層的表面均刻蝕鏤空結(jié)構(gòu)焊料層；所述SiC芯片一的上表面通過鍵合鋁包銅帶與所述DBC上銅層二上的所述鏤空結(jié)構(gòu)焊料層相連；所述SiC芯片二的上表面通過鍵合鋁包銅帶與所述DBC上銅層三上的所述鏤空結(jié)構(gòu)焊料層相連。本申請的封裝結(jié)構(gòu)散熱均勻、可靠性高，鍵合鋁包銅帶導電性能好、寄生電感小，可以有效加固鍵合線的連接，提高SiC功率器件的使用壽命。