具有溝槽自對準PPlus掩蔽埋層的碳化硅SBD器件元胞結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202022443064.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212967714U | 公開（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申請公布號 | CN212967714U | 申請公布日 | 2021-04-13 |
| 分類號 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 宋召海 | 申請（專利權(quán)）人 | 華芯威半導體科技（北京）有限責任公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京邦創(chuàng)至誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） | 代理人 | 張宇鋒 |
| 地址 | 100744北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)地盛西路6號院3號樓3層302-2 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了具有溝槽自對準P Plus掩蔽埋層的碳化硅SBD器件元胞結(jié)構(gòu)，所述元胞結(jié)構(gòu)的外延層包括n2 Epi區(qū)、P Plus epi區(qū)以及n1 Epi區(qū)，在所述n2 Epi區(qū)中設置有若干個均勻間隔的溝槽，所述溝槽的底部設置有將所述P Plus epi區(qū)隔離成自對準的肖特基區(qū)電場掩蔽層的N+區(qū)；所述溝槽的兩側(cè)設置有與掩埋P區(qū)相連的P+區(qū)，從而形成倒T型P Plus epi區(qū)；相鄰的所述倒T型P Plus epi區(qū)將中間的肖特基區(qū)半包裹屏蔽住，實現(xiàn)肖特基區(qū)表面電場的減弱與屏蔽。該新型倒T型p plus結(jié)構(gòu)SBD器件能起到良好的肖特基區(qū)電場屏蔽保護作用，能實現(xiàn)較大的肖特基區(qū)面積與pplus區(qū)域面積的比例，增加單位面積的電流密度，同時有效保護肖特基接觸區(qū)和增強器件的抗浪涌能力。?? |
