一種用控溫電弧爐制備氧化鎂晶體的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200410100459.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN1664176A 公開（公告）日 2005-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN1664176A 申請(qǐng)公布日 2005-09-07
分類號(hào) C30B11/00;C30B29/16 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 王寧會(huì);王曉臣;黃耀;戚棟;吳彥;李國(guó)鋒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 大連理工大學(xué)科技園有限公司
代理機(jī)構(gòu) 大連理工大學(xué)專利中心 代理人 侯明遠(yuǎn)
地址 116024遼寧省大連市甘井子區(qū)凌工路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于材料科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域，涉及到金屬氧化物晶體制備方法，特別涉及到一種用控溫電弧爐制備氧化鎂晶體的方法。以申請(qǐng)人的發(fā)明申請(qǐng)《一種制備氧化鎂晶體的控溫電弧爐》中公布的電弧爐為實(shí)施基礎(chǔ)，以從感溫設(shè)備得到的數(shù)據(jù)和預(yù)設(shè)的溫度場(chǎng)方程計(jì)算得到的爐內(nèi)溫度狀態(tài)作為進(jìn)行電弧和冷卻設(shè)備操作的依據(jù)，通過電弧和冷卻設(shè)備的配合工作在爐中形成適宜晶體生長(zhǎng)的溫度場(chǎng)。本發(fā)明的效果和益處是，提出的氧化鎂晶體制備方法可以提供適宜的晶體生長(zhǎng)環(huán)境，大幅度提高氧化鎂晶體的產(chǎn)量和質(zhì)量，有效的節(jié)省了能源，顯著地降低了成本。另外，該技術(shù)也可以用來生長(zhǎng)其他高溫晶體。