一種高密度芯片三維堆疊鍵合的結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022488384.X 申請日 -
公開（公告）號 CN213184262U 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN213184262U 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01L23/31;H01L25/065;H01L21/60 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新;蔣振雷 申請（專利權(quán)）人 杭州晶通科技有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張超
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路1217號IT公園1號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種高密度芯片三維堆疊鍵合的結(jié)構(gòu)，包括被塑封體塑封的至少兩個預(yù)處理芯片，預(yù)處理芯片的銅焊盤面相對設(shè)置并至少有一組對應(yīng)的銅焊盤通過銅焊盤外延直接進行鍵合，預(yù)處理芯片包括芯片，在芯片銅焊盤面鋪設(shè)的外露出銅焊盤的介電層、在介電層上設(shè)置的外露出銅焊盤的有機聚合物層以及被有機聚合物層及介電層包裹的銅焊盤外延。完成銅焊盤外延鍵合的預(yù)處理芯片組，對應(yīng)的鍵合后的銅焊盤外延邊的有機聚合物層也鍵合成為統(tǒng)一的整體。采用本你實用新型的設(shè)計方案，可以應(yīng)用于三維封裝領(lǐng)域，助力高密度芯片與模組的高度集成化、小型化。