一種能夠消除芯片位移差的晶圓級扇出型封裝方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110133957.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112908870A | 公開(公告)日 | 2021-06-04 |
申請公布號 | CN112908870A | 申請公布日 | 2021-06-04 |
分類號 | H01L21/56;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/78 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王新;蔣振雷 | 申請(專利權(quán))人 | 杭州晶通科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張超 |
地址 | 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路1217號IT公園1號樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種能夠消除芯片位移差的晶圓級扇出型封裝方法,首先對應(yīng)于采用的臨時載片材質(zhì)、塑封層材質(zhì)、塑封溫度和室溫計算塑封后芯片會發(fā)生的偏移量,然后芯片預(yù)先向會發(fā)生的偏移方向的反方向位移足夠距離并在臨時載片上貼裝,再對貼裝了芯片的臨時載片進(jìn)行塑封,然后去除臨時載片,在塑封層外露芯片引腳的側(cè)面通過整體曝光制備重新布線層,最后在重新布線層上植球并切割為小的封裝體。通過本發(fā)明的設(shè)計方案,能夠很好的消除因為芯片在塑封過程中產(chǎn)生的位移差,以便在制作重新布線層時進(jìn)行整體性曝光,省略了因為位移差而需要局部曝光的繁瑣步驟。 |
