偽模態(tài)抑制型射頻諧振器結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110012423.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112821878B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112821878B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-14 |
| 分類(lèi)號(hào) | H03H9/02（2006.01）I;H03H9/17（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 孫成亮;周杰;鄒楊;劉炎;林炳輝;徐沁文;谷曦宇;羅天成;高超 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 寧波華彰企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙） |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢科皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 315832 浙江省寧波市北侖區(qū)梅山七星路88號(hào)1幢401室A區(qū)E2025 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種偽模態(tài)抑制型射頻諧振器結(jié)構(gòu)。包括下電極層、壓電層、上電極層、凹陷上電極層、凸起壓電層、凹陷壓電層。其中，凹陷上電極層位于交疊區(qū)域處；凸起壓電層位于外部區(qū)域處，且比有效區(qū)域高；凹陷壓電層位于外部區(qū)域處，位于所述凸起壓電層之間。本發(fā)明申請(qǐng)通過(guò)調(diào)整凹陷上電極層、凸起壓電層、凹陷壓電層的深度、寬度和位置關(guān)系，能夠使諧振器滿(mǎn)足諧振頻率關(guān)系為：f外部區(qū)域＜f有效區(qū)域＜f交疊區(qū)域，進(jìn)而可以有效抑制阻抗曲線(xiàn)上的偽模態(tài)和高階模態(tài)，提高諧振器的機(jī)電耦合系數(shù)和品質(zhì)因子，進(jìn)而提升諧振器的整體性能。 |
