一種積累型溝道結(jié)構(gòu)的T-gate溝槽碳化硅晶體管及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110568683.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113299748A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113299748A 申請(qǐng)公布日 2021-08-24
分類號(hào) H01L29/739;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何志;鄭柳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 重慶偉特森電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶西南華渝專利代理有限公司 代理人 郭桂林
地址 400700 重慶市北碚區(qū)云漢大道117號(hào)附237號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種積累型溝道結(jié)構(gòu)的T?gate溝槽碳化硅晶體管，包括襯底、緩沖層和外延薄膜；外延薄膜頂部中心的設(shè)置有溝槽，溝槽的側(cè)壁和底部分別設(shè)有第一柵氧化層和第二柵氧化層；溝槽內(nèi)部填充有柵電極；溝槽兩側(cè)對(duì)稱設(shè)有基底和基區(qū)；基區(qū)頂部覆蓋源區(qū)；源區(qū)和柵電極的頂部覆蓋有隔離介質(zhì)層；源區(qū)、基區(qū)、基底和隔離介質(zhì)層頂部設(shè)有源電極；襯底背面設(shè)有漏電極。本發(fā)明的溝槽型碳化硅晶體管采用積累型溝道結(jié)構(gòu)代替?zhèn)鹘y(tǒng)器件中的反型層溝道，以此來(lái)提高溝道載流子遷移率，降低晶體管的溝道電阻和閾值電壓。