一種溝槽型SiCIGBT結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010306447.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111490098A | 公開（公告）日 | 2020-08-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111490098A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-04 |
| 分類號(hào) | H01L29/739(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 何鈞;劉敏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 重慶偉特森電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 重慶中流知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 郭桂林 |
| 地址 | 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號(hào)附237號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種溝槽型碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)，在普通IGBT的基礎(chǔ)上，本發(fā)明提供兩種形態(tài)，在一種結(jié)構(gòu)中，第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)被第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)三面包圍，第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)上表面與第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)上表面齊平；在另一種結(jié)構(gòu)中，第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)還被源極金屬三面包圍，第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)上表面齊平或低于第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)下表面。并且本發(fā)明通過在外延層刻蝕出凹槽，增加了氧化的表面積，提高了游離碳元素的產(chǎn)出，氧化后退火促使碳元素向漂移區(qū)內(nèi)擴(kuò)散，從而填補(bǔ)由于碳原子缺失形成的空位，從而提高非平衡載流子的壽命，改善材料的導(dǎo)電特性，提高了碳化硅IGBT的導(dǎo)通性能。?? |
