一種碳化硅二極管元胞結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201922270391.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN211719595U 公開(kāi)(公告)日 2020-10-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN211719595U 申請(qǐng)公布日 2020-10-20
分類號(hào) H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭柳 申請(qǐng)(專利權(quán))人 重慶偉特森電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶中流知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 郭桂林
地址 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號(hào)附237號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種碳化硅二極管元胞結(jié)構(gòu),其中心填充區(qū)域?yàn)榈谝籶型注入?yún)^(qū),其外層填充區(qū)域?yàn)榈诙型注入?yún)^(qū),在中心填充區(qū)域與外層填充區(qū)域之間的區(qū)域?yàn)闊o(wú)注入n型區(qū)域,其特征在于,包括第二p型注入?yún)^(qū)的橫截面呈六邊形,無(wú)注入n型區(qū)域的橫截面呈圓形或十二邊形,第一p型注入?yún)^(qū)的橫截面呈圓形或十二邊形,其中:呈圓形或十二邊形的無(wú)注入n型區(qū)域的元胞元胞排列組合。本實(shí)用新型有效避免球面結(jié)電場(chǎng)聚集導(dǎo)致的耐壓偏低的問(wèn)題,進(jìn)一步提升碳化硅二極管性能,并增強(qiáng)了實(shí)用性。??