一種半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111197173.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113948491A 公開(kāi)（公告）日 2022-01-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN113948491A 申請(qǐng)公布日 2022-01-18
分類號(hào) H01L23/498（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃己森 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 重慶偉特森電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶西南華渝專利代理有限公司 代理人 郭桂林
地址 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號(hào)附237號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體外延薄膜，且半導(dǎo)體外延薄膜表面自下而上依次覆蓋有場(chǎng)板、焊接層和鈍化層，在場(chǎng)板上表面還設(shè)有介質(zhì)層，且介質(zhì)層位于焊接層和鈍化層下方；焊接層下表面還設(shè)有覆蓋半導(dǎo)體外延薄膜和場(chǎng)板的勢(shì)壘層。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于加工；將介質(zhì)層放到金屬層下方，可防止介質(zhì)層因應(yīng)力而受損，進(jìn)一步延長(zhǎng)了器件的使用壽命。制備上述器件的方法為S1，在外延薄膜上淀積場(chǎng)板，再在場(chǎng)板上淀積介質(zhì)層；S2，先介質(zhì)層和場(chǎng)板；S3，淀積勢(shì)壘層，圖形化，腐蝕，退火；S4，淀積介質(zhì)層，圖形化，腐蝕，退火；S5，涂覆鈍化層，圖形化后固化鈍化層。本發(fā)明步驟簡(jiǎn)單易操作，可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，易于量產(chǎn)和推廣。