一種結(jié)勢(shì)壘肖特基結(jié)構(gòu)的二極管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201922355717.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211629119U | 公開（公告）日 | 2020-10-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211629119U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-02 |
| 分類號(hào) | H01L29/872(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 鄭柳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 重慶偉特森電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 重慶中流知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 郭桂林 |
| 地址 | 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號(hào)附237號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種結(jié)勢(shì)壘肖特基結(jié)構(gòu)二極管的結(jié)構(gòu)，具體包括：第一導(dǎo)電類型的襯底；在襯底上表面設(shè)有第一導(dǎo)電類型的外延層，以及襯底與外延層之間設(shè)有第一導(dǎo)電類型的緩沖層；設(shè)置于外延層上表面的肖特基接觸電極；襯底下表面設(shè)有歐姆接觸電極，襯底與歐姆接觸電極之間設(shè)有第二隔離介質(zhì)層；設(shè)置于外延層上表面兩側(cè)的第二導(dǎo)電類型阱區(qū)；在肖特基接觸電極下表面兩側(cè)設(shè)有與第二導(dǎo)電類型阱區(qū)相對(duì)應(yīng)并且等寬的第一隔離介質(zhì)層；本實(shí)用新型將肖特基二極管和PiN結(jié)構(gòu)結(jié)合在一起，通過PN結(jié)勢(shì)壘排除隧穿電流對(duì)最高阻斷電壓的限制，使得結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)相比于肖特基(SBD)器件，在反向模式下，可以在不犧牲正向?qū)▔航档幕A(chǔ)上，具有更低的反向漏電流，和更高的阻斷電壓。?? |
