一種溝槽型碳化硅晶體管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110672504.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113506826A 公開（公告）日 2021-10-15
申請公布號 CN113506826A 申請公布日 2021-10-15
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭柳;何志 申請（專利權(quán)）人 重慶偉特森電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶西南華渝專利代理有限公司 代理人 郭桂林
地址 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號附237號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種溝槽型碳化硅晶體管，包括碳化硅半導(dǎo)體薄膜、基區(qū)摻雜區(qū)、源區(qū)摻雜區(qū)、柵溝槽、絕緣介質(zhì)薄膜Ⅰ、絕緣介質(zhì)薄膜Ⅱ、柵電極、基區(qū)導(dǎo)電薄膜、隔離介質(zhì)薄、源電極和漏電極。本發(fā)明將主結(jié)邊緣刻蝕成臺面形狀，改變了器件中結(jié)邊緣的形貌，從而緩解結(jié)邊緣附近電場集中，提高了器件反向擊穿電壓、耐壓性能和可靠性。本發(fā)明還公開了一種溝槽型碳化硅晶體管的制備方法，在制備柵氧化層時，首先在柵溝槽內(nèi)沉積多晶硅或非晶硅，然后再對其進(jìn)行刻蝕和氧化，以此來加強(qiáng)溝槽底部柵氧化層的厚度，防止柵氧化層被擊穿，進(jìn)一步提高了晶體管的可靠性。