一種用皮秒激光照射制備碳化硅結(jié)構(gòu)的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910501481.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112071740A 公開（公告）日 2020-12-11
申請公布號 CN112071740A 申請公布日 2020-12-11
分類號 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉敏;何鈞;何志 申請（專利權(quán)）人 重慶偉特森電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶中流知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郭桂林
地址 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號附237號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中碳化硅刻蝕效率低的問題，本發(fā)明提供了一種用皮秒激光照射制備碳化硅結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟：S100：清洗碳化硅晶片；S200：通過皮秒激光照射碳化硅待刻蝕區(qū)域；S300：采用干法刻蝕機(jī)對碳化硅樣品進(jìn)行干法刻蝕，形成刻蝕溝槽；S400：干法刻蝕完畢之后去除刻蝕掩膜層；S500：去除刻蝕溝槽側(cè)壁和溝槽底部的刻蝕損傷層。本發(fā)明在具體使用中，將碳化硅清洗后通過皮秒激光束照射碳化硅待刻蝕區(qū)域的表面，持續(xù)一定時間后，破壞該區(qū)域深度范圍內(nèi)碳化硅材料的碳硅鍵，提高該區(qū)域碳化硅的干法刻蝕速度，刻蝕效率高。??