一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110908129.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113643970A 公開（公告）日 2021-11-12
申請公布號 CN113643970A 申請公布日 2021-11-12
分類號 H01L21/28（2006.01）I;H01L21/337（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何志;鄭柳 申請（專利權(quán)）人 重慶偉特森電子科技有限公司
代理機構(gòu) 重慶西南華渝專利代理有限公司 代理人 郭桂林
地址 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號附237號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法，具體包括以下步驟：S1，在碳化硅襯底表面采用外延工藝進行外延，先后得到緩沖層和外延層；S2，在外延層上先后進行介質(zhì)薄膜沉積和光刻形成圖形化第一掩膜層，再通過刻蝕形成柵極溝槽；S3，在步驟S2得到的樣品外延層表面再次進行外延生長形成柵極摻雜區(qū)；S4，采用化學(xué)機械拋光，去除外延層表面多余的外延薄膜，對樣品表面進行平坦化處理。本發(fā)明采用外刻蝕工藝，再次外延和表面平坦化相結(jié)合的工藝，可實現(xiàn)多種碳化硅器件結(jié)構(gòu)的制備；且制備工藝簡單，實用性強，適合大規(guī)模生產(chǎn)。