一種溝槽轉(zhuǎn)角處具有厚柵氧化層的SiC-MOSFET柵的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010307604.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111489963A 公開（公告）日 2020-08-04
申請公布號 CN111489963A 申請公布日 2020-08-04
分類號 H01L21/04(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 何鈞;劉敏 申請（專利權(quán)）人 重慶偉特森電子科技有限公司
代理機構(gòu) 重慶中流知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郭桂林
地址 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號附237號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種溝槽轉(zhuǎn)角處具有厚柵氧化層的SiC?MOSFET柵的制備方法，步驟為：1在外延層上表面刻蝕形成溝槽；2在外延層上表面和溝槽內(nèi)壁生長多晶硅或非晶硅；3沉積完全覆蓋外延層上表面并填充滿溝槽的SiO2層；4對外延層上表面平坦化處理，使得SiO2層上表面與外延層上表面齊平；5刻蝕SiO2層，保留溝槽底部的氧化層；6刻蝕SiO2層上表面水平面以上的多晶硅或非晶硅;7刻蝕溝槽底部的SiO2層；8高溫氧化溝槽側(cè)壁裸露的碳化硅和多晶硅或非晶硅，使其形成氧化層。采用本發(fā)明的制備方法，利用SiO2代替光刻膠作為掩膜層，氧化溝槽底部的多晶硅或非晶硅，起到了加厚溝槽轉(zhuǎn)角處氧化層的作用，其增加了溝槽轉(zhuǎn)角處反向電場強度承受力。??