薄膜太陽(yáng)能電池及其緩沖層的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201511019482.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105514198A 公開（公告）日 2016-04-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN105514198A 申請(qǐng)公布日 2016-04-20
分類號(hào) H01L31/0445(2014.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0264(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉艷云;顧光一;馮葉;馮麗麗;童君;馬續(xù)航;宋秋明;楊春雷;肖旭東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳先進(jìn)技術(shù)學(xué)院
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院;中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院;中國(guó)科學(xué)院大學(xué)深圳先進(jìn)技術(shù)學(xué)院
地址 518055 廣東省深圳市南山區(qū)西麗大學(xué)城學(xué)苑大道1068號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種薄膜太陽(yáng)能電池，包括依次疊合的襯底、背電極層、光吸收層、緩沖層和透明導(dǎo)電層，緩沖層包括多層子緩沖層，子緩沖層為Zn1-xMgxO，其中0≤x≤t，0.2≤t≤0.4，隨光吸收層至透明導(dǎo)電層的方向上，多層子緩沖層的x值在0～t內(nèi)逐漸減小。上述緩沖層的一側(cè)為ZnO，另一側(cè)為Zn1-tMgtO。Zn1-tMgtO的導(dǎo)帶底略高于CIGS吸收層的導(dǎo)帶，ZnO的能帶與透明導(dǎo)電層的能帶完美對(duì)接，因此減少了緩沖層與吸收層界面處的載流子復(fù)合，提高了開路電壓。同時(shí)避免了緩沖層的導(dǎo)帶底顯著高于CIGS吸收層的導(dǎo)帶形成較高的電子勢(shì)壘，進(jìn)而阻礙電子的運(yùn)輸導(dǎo)致短路電流密度降低的問題，可使薄膜太陽(yáng)能電池的開路電壓與短路電流密度共同提高。本發(fā)明還提供了薄膜太陽(yáng)能電池緩沖層的制備方法。