借助少子壽命表征硅片吸除金屬雜質效率的裝置和方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202111633459.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN114509450A | 公開（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申請公布號 | CN114509450A | 申請公布日 | 2022-05-17 |
| 分類號 | G01N22/00（2006.01）I;G01R21/00（2006.01）I | 分類 | 測量；測試; |
| 發(fā)明人 | 金鉉洙 | 申請（專利權）人 | 西安奕斯偉材料科技股份有限公司 |
| 代理機構 | 西安維英格知識產權代理事務所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 710100陜西省西安市高新區(qū)西灃南路1888號1-3-029室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明實施例公開了一種借助于少子壽命表征硅片吸除金屬雜質效率的裝置和方法，該裝置包括：清洗模塊，所述清洗模塊經配置為準備待測硅片并清洗所述硅片；少子壽命測量模塊，所述少子壽命測量模塊經配置為測量所述硅片的少子壽命；熱處理模塊，所述熱處理模塊經配置為針對所述硅片進行熱處理；計算器模塊，所述計算器模塊經配置為記錄并計算所述少子壽命測量模塊的測量值，并根據所述測量值間接計算所述硅片的捕獲金屬雜質效率。 |
