一種基于MEMS熱電堆的可見光收發(fā)集成器件及其制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010764920.6 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111739881B | 公開（公告）日 | 2020-10-02 |
| 申請公布號(hào) | CN111739881B | 申請公布日 | 2020-10-02 |
| 分類號(hào) | H01L25/16(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉桂芝;何云;王冬峰 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海南麟集成電路有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海南麟集成電路有限公司 |
| 地址 | 201306上海市浦東新區(qū)環(huán)湖西二路888號(hào)C樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種基于MEMS熱電堆的可見光收發(fā)集成器件及其制作方法，該器件包括襯底、緩沖層、多量子阱二極管及熱電堆，其中，襯底中設(shè)有第一空腔；緩沖層中設(shè)有第二空腔；多量子阱二極管的N型GaN結(jié)構(gòu)層的中間區(qū)域懸設(shè)于第二空腔上方，多量子阱結(jié)構(gòu)層及P型GaN結(jié)構(gòu)層位于N型GaN結(jié)構(gòu)層的中間區(qū)域上方；熱電堆分布于多量子阱二極管周圍，包括多個(gè)串聯(lián)的熱電偶，熱電偶包括N型GaN半導(dǎo)體臂及金屬臂。本發(fā)明可利用一個(gè)多量子阱二極管結(jié)構(gòu)同時(shí)實(shí)現(xiàn)光發(fā)射與光探測兩種功能，從而提高器件集成度，減小系統(tǒng)的功耗與成本。本發(fā)明采用單片集成化的MEMS熱電堆來控制多量子阱二極管的工作溫度，與片外封裝方案相比減小了體積，并可以實(shí)現(xiàn)芯片的局部溫度調(diào)控。?? |
