一種基于MEMS熱電堆的可見光收發(fā)集成器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010764920.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111739881A 公開（公告）日 2020-10-02
申請公布號 CN111739881A 申請公布日 2020-10-02
分類號 H01L25/16(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉桂芝;何云;王冬峰 申請（專利權）人 上海南麟集成電路有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 上海南麟集成電路有限公司
地址 201306上海市浦東新區(qū)環(huán)湖西二路888號C樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于MEMS熱電堆的可見光收發(fā)集成器件及其制作方法，該器件包括襯底、緩沖層、多量子阱二極管及熱電堆，其中，襯底中設有第一空腔；緩沖層中設有第二空腔；多量子阱二極管的N型GaN結構層的中間區(qū)域懸設于第二空腔上方，多量子阱結構層及P型GaN結構層位于N型GaN結構層的中間區(qū)域上方；熱電堆分布于多量子阱二極管周圍，包括多個串聯(lián)的熱電偶，熱電偶包括N型GaN半導體臂及金屬臂。本發(fā)明可利用一個多量子阱二極管結構同時實現(xiàn)光發(fā)射與光探測兩種功能，從而提高器件集成度，減小系統(tǒng)的功耗與成本。本發(fā)明采用單片集成化的MEMS熱電堆來控制多量子阱二極管的工作溫度，與片外封裝方案相比減小了體積，并可以實現(xiàn)芯片的局部溫度調(diào)控。??