一種帶溫度補(bǔ)償?shù)腃MOS延遲電路
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110429615.6 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN112994665A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-06-18 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112994665A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-18 |
分類(lèi)號(hào) | H03K5/13 | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 楊榮彬;徐雙恒;丁暢;夏濤;吳霜毅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 成都銘科思微電子技術(shù)有限責(zé)任公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 成都其高專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 賈波 |
地址 | 610000 四川省成都市成華區(qū)崔家店路75號(hào)2棟1單元25層2501-2505號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種帶溫度補(bǔ)償?shù)腃MOS延遲電路,包括NMOS管、PMOS管和溫度補(bǔ)償電阻,所述NMOS管的源極通過(guò)一溫度補(bǔ)償電阻接地,NMOS管的漏極和PMOS管的漏極共接且形成輸出端,PMOS管的源極通過(guò)一溫度補(bǔ)償電阻連接電源,NMOS管的柵極和PMOS管的柵極共接且構(gòu)成輸入端;將CMOS延遲電路的延遲時(shí)間隨溫度的變化從完全由工藝決定變成了可設(shè)計(jì)。 |
