一種帶溫度補償?shù)腃MOS延遲電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110429615.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112994665A 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN112994665A 申請公布日 2021-06-18
分類號 H03K5/13 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 楊榮彬;徐雙恒;丁暢;夏濤;吳霜毅 申請（專利權）人 成都銘科思微電子技術有限責任公司
代理機構 成都其高專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 賈波
地址 610000 四川省成都市成華區(qū)崔家店路75號2棟1單元25層2501-2505號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種帶溫度補償?shù)腃MOS延遲電路，包括NMOS管、PMOS管和溫度補償電阻，所述NMOS管的源極通過一溫度補償電阻接地，NMOS管的漏極和PMOS管的漏極共接且形成輸出端，PMOS管的源極通過一溫度補償電阻連接電源，NMOS管的柵極和PMOS管的柵極共接且構成輸入端；將CMOS延遲電路的延遲時間隨溫度的變化從完全由工藝決定變成了可設計。