深N阱電壓動態(tài)控制電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911267296.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111049506A 公開（公告）日 2020-04-21
申請公布號 CN111049506A 申請公布日 2020-04-21
分類號 H03K17/10;H03K17/567 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 杜翎;李昌紅;吳霜毅 申請（專利權(quán)）人 成都銘科思微電子技術(shù)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 成都其高專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 成都銘科思微電子技術(shù)有限責(zé)任公司
地址 610000 四川省成都市成華區(qū)二環(huán)路東三段14號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了深N阱電壓動態(tài)控制電路，包括PW電壓選擇電路和NMOS采樣開關(guān)，還設(shè)置有電荷泵電路及DNW電壓選擇電路，所述NMOS采樣開關(guān)的PW連接PW電壓選擇電路的輸出、NMOS采樣開關(guān)的DNW連接DNW電壓選擇電路的輸出，PW電壓選擇電路的兩個輸入分別連接輸入信號VIN和偏置電壓VBULK，電荷泵電路的三個輸入分別連接偏置電壓VTOP、偏置電壓VBOT和輸入信號VIN，電荷泵電路的輸出連接DNW電壓選擇電路的一個輸入；DNW電壓選擇電路的另一個輸入連接偏置電壓VNS；根據(jù)NMOS采樣開關(guān)工作狀態(tài)，通過分時動態(tài)控制其DNW電壓，有效降低了PW與DNW間寄生二極管的最大反偏電壓，從而達(dá)到了提高輸入信號電壓范圍的目的。