一種可調節(jié)翹曲的Vcsel外延結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121134870.X 申請日 -
公開（公告）號 CN215528189U 公開（公告）日 2022-01-14
申請公布號 CN215528189U 申請公布日 2022-01-14
分類號 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I;H01S5/34（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張新勇;楊紹林;劉浩飛;苑匯帛 申請（專利權）人 威科賽樂微電子股份有限公司
代理機構 廣州市華學知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 黃宗波
地址 404000重慶市萬州區(qū)萬州經(jīng)開區(qū)高峰園檬子中路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及激光芯片技術領域，尤其涉及一種可調節(jié)翹曲的Vcsel外延結構，包括襯底，所述襯底上依次沉積有緩沖層、N型摻雜的DBR、有源層、氧化限制層、P型摻雜的DBR和歐姆接觸層，所述N型摻雜的DBR和P型摻雜的DBR中周期性設置有應力補償層。本實用新型公開了一種可調節(jié)翹曲的Vcsel外延結構及其制備方法，通過周期性設置的應力補償層，不僅能夠減少整個外延層應力，提高外延層晶體質量，同時還能夠降低外延片翹曲，提高外延片各參數(shù)的均勻性。