一種GaAs復(fù)合型納米線的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111124370.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114038898A 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN114038898A 申請公布日 2022-02-11
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 苑匯帛;張新勇;楊紹林;劉浩飛;孔凡軍;鄭鑫;張彬 申請（專利權(quán)）人 威科賽樂微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 廣州市華學知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃宗波
地址 404000重慶市萬州區(qū)萬州經(jīng)開區(qū)高峰園檬子中路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種GaAs復(fù)合型納米線的制備方法，涉及納米線制備方法技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的一種GaAs復(fù)合型納米線的制備方法，所述制備方法在鍍金膜步驟之前先對襯底進行預(yù)處理，得到圖形襯底，所述預(yù)處理是在襯底上濺射鍍上掩膜層后，再通過激光干涉光刻制備得到圖形襯底，所述圖形襯底的圖形為孔陣結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的一種GaAs復(fù)合型納米線的制備方法，能夠制備得到分布、形貌可控的GaAs復(fù)合型納米線，達到“一孔一線”的效果。