一種紅光VCSEL芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111275259.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114122911A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114122911A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張新勇;劉浩飛;苑匯帛;楊紹林;鄭鑫;張彬;宋世金 申請（專利權(quán)）人 威科賽樂微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃宗波
地址 404000重慶市萬州區(qū)萬州經(jīng)開區(qū)高峰園檬子中路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種紅光VCSEL芯片及其制備方法，涉及激光芯片技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的一種紅光VCSEL芯片，包括包括襯底，緩沖層、底部反射層、有源層、氧化限制層、頂部反射層和鈍化層；所述底部反射層包括第一BOTTOM DBR層和第二BOTTOM DBR層，所述第一BOTTOM DBR層包括重疊生長的多對第一復(fù)合層，第二BOTTOM DBR層包括重疊生長的多對第二復(fù)合層，所述頂部反射層包括第一TOP DBR層和第二TOP DBR層，所述第一TOP DBR層包括重疊生長的多對第三復(fù)合層，第二TOP DBR層包括重疊生長的多對第四復(fù)合層。本發(fā)明公開了一種紅光VCSEL芯片及其制備方法，利用復(fù)合DBR層，僅使用較少DBR的周期數(shù)就可獲得高的反射率，從而降低因DBR材料晶格不匹配形成的應(yīng)力和禁帶差異引起的電阻，進而提升紅光VCSEL的光電轉(zhuǎn)換效率。