一種紅光VCSEL芯片及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111275259.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114122911A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114122911A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張新勇;劉浩飛;苑匯帛;楊紹林;鄭鑫;張彬;宋世金 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 威科賽樂(lè)微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 黃宗波 |
| 地址 | 404000重慶市萬(wàn)州區(qū)萬(wàn)州經(jīng)開(kāi)區(qū)高峰園檬子中路2號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種紅光VCSEL芯片及其制備方法，涉及激光芯片技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的一種紅光VCSEL芯片，包括包括襯底，緩沖層、底部反射層、有源層、氧化限制層、頂部反射層和鈍化層；所述底部反射層包括第一BOTTOM DBR層和第二BOTTOM DBR層，所述第一BOTTOM DBR層包括重疊生長(zhǎng)的多對(duì)第一復(fù)合層，第二BOTTOM DBR層包括重疊生長(zhǎng)的多對(duì)第二復(fù)合層，所述頂部反射層包括第一TOP DBR層和第二TOP DBR層，所述第一TOP DBR層包括重疊生長(zhǎng)的多對(duì)第三復(fù)合層，第二TOP DBR層包括重疊生長(zhǎng)的多對(duì)第四復(fù)合層。本發(fā)明公開(kāi)了一種紅光VCSEL芯片及其制備方法，利用復(fù)合DBR層，僅使用較少DBR的周期數(shù)就可獲得高的反射率，從而降低因DBR材料晶格不匹配形成的應(yīng)力和禁帶差異引起的電阻，進(jìn)而提升紅光VCSEL的光電轉(zhuǎn)換效率。 |
