一種超低損耗低端理想二極管
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202020206261.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211557133U | 公開（公告）日 | 2020-09-22 |
| 申請公布號(hào) | CN211557133U | 申請公布日 | 2020-09-22 |
| 分類號(hào) | H02M1/088(2006.01)I;G06F1/26(2006.01)I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 陳石平;彭進(jìn)雙 | 申請（專利權(quán)）人 | 奧格科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市創(chuàng)富知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 廣州奧格智能科技有限公司 |
| 地址 | 510663廣東省廣州市天河區(qū)高普路1029、1031號(hào)2樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種超低損耗低端理想二極管，包括組合邏輯控制電路和第一NMOS管，組合邏輯控制電路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第一電阻和第二電阻，第一NMOS管的漏極連接第二NMOS管的源極和電源負(fù)極，第一NMOS管的源極電連接第三NMOS管的源極，第一NMOS管的柵極電連接第三NMOS管的漏極，第二NMOS管的柵極連接第二NMOS管的漏極和第三NMOS管的柵極，第二NMOS管的漏極通過第一電阻接電源正極，第三NMOS管的漏極通過第二電阻接電源正極，負(fù)載接于電源正極和第一NMOS管的源極之間。本實(shí)用新型具有防止倒灌功能，可以保護(hù)前級(jí)電路，具有非常低的損耗，電路簡單，實(shí)用性強(qiáng)。?? |
