一種低損耗高端理想二極管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020206281.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211557134U | 公開（公告）日 | 2020-09-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211557134U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-22 |
| 分類號(hào) | H02M1/088(2006.01)I;G06F1/26(2006.01)I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 陳石平;彭進(jìn)雙 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 奧格科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市創(chuàng)富知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 廣州奧格智能科技有限公司 |
| 地址 | 510663廣東省廣州市天河區(qū)高普路1029、1031號(hào)2樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種低損耗高端理想二極管，包括第一PMOS管、第二PMOS管、NMOS管、第一電阻、第二電阻和第三電阻，第一PMOS管的柵極和第二PMOS管的柵極均連接第一電阻的一端，第一電阻的另一端均連接第一PMOS管的源極和第二PMOS管的源極，第一電阻的一端連接NMOS管的漏極，NMOS管的柵極通過(guò)第二電阻連接第一PMOS管的漏極，NMOS管的柵極通過(guò)第三電阻連接NMOS管的源極。本實(shí)用新型有益效果：根據(jù)要求使用同型號(hào)的雙PMOS管或者對(duì)管，正向?qū)〞r(shí)，電流損耗為微安級(jí)，壓差小，損耗很低，可以作為一個(gè)理想的二極管；反向截止時(shí)，電流損耗基本為0，可以忽略不計(jì)；加權(quán)平均電流損耗小于微安級(jí)，大大降低了設(shè)備的功耗，延長(zhǎng)了電池的工作時(shí)間，降低了設(shè)備維護(hù)成本。?? |
