一種低損耗防倒灌高端負(fù)載開關(guān)電路
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202020206642.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211557239U | 公開（公告）日 | 2020-09-22 |
| 申請公布號(hào) | CN211557239U | 申請公布日 | 2020-09-22 |
| 分類號(hào) | H03K17/16(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 陳石平;彭進(jìn)雙 | 申請（專利權(quán)）人 | 奧格科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市創(chuàng)富知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 廣州奧格智能科技有限公司 |
| 地址 | 510663廣東省廣州市天河區(qū)高普路1029、1031號(hào)2樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種低損耗防倒灌高端負(fù)載開關(guān)電路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、NMOS管、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻，第一PMOS管的柵極和第二PMOS管的柵極均連接第一電阻和第二電阻的一端，第一電阻的另一端分別連接第一PMOS管的源極和第二PMOS管的源極，第二電阻的另一端連接NMOS管的漏極，NMOS管的柵極通過第三電阻連接微處理器，NMOS管的源極通過第四電阻連接微處理器，NMOS管的源極接地。本實(shí)用新型有益效果：本實(shí)用新型低損耗防倒灌高端負(fù)載開關(guān)電路，根據(jù)不同需要使用不同型號(hào)的MOS管，使用高精度電阻R1、R2串聯(lián)進(jìn)行分壓，控制雙PMOS管的導(dǎo)通與截止，PMOS管和NMOS管屬于電壓器件，導(dǎo)通電流非常小，插入損耗小，可作為理想的低功耗防倒灌高端負(fù)載開關(guān)。?? |
