半導(dǎo)體器件
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201120332912.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN202196782U | 公開(公告)日 | 2012-04-18 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN202196782U | 申請(qǐng)公布日 | 2012-04-18 |
分類號(hào) | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 雷晗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 西安民展通訊科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 黃燦;劉偉 |
地址 | 710075 陜西省西安市科技二路77號(hào)西安光電園A305、A308室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體器件,包括:一晶體管,包括漂移區(qū);一高壓電阻,設(shè)置在所述漂移區(qū)的上方,高壓電阻的兩端分別與晶體管的漏極和柵極連接。將高壓電阻與晶體管集成在一起,使得高壓電阻不占用半導(dǎo)體器件的額外面積,在總體上減小了整個(gè)半導(dǎo)體器件的面積,從而降低了半導(dǎo)體器件的成本。 |
