掩模版、光刻裝置、掩模版的制造方法和基于掩模版的光刻方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202210373932.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114690534A | 公開(公告)日 | 2022-07-01 |
申請公布號 | CN114690534A | 申請公布日 | 2022-07-01 |
分類號 | G03F1/00(2012.01)I;G03F1/68(2012.01)I;G02F1/01(2006.01)I | 分類 | 攝影術(shù);電影術(shù);利用了光波以外其他波的類似技術(shù);電記錄術(shù);全息攝影術(shù)〔4〕; |
發(fā)明人 | 李西軍 | 申請(專利權(quán))人 | 西湖大學(xué) |
代理機(jī)構(gòu) | 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 310024浙江省杭州市西湖區(qū)云棲小鎮(zhèn)石龍山街18號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本公開涉及一種掩模版、光刻裝置和掩模版的制造方法和基于掩模版的光刻方法,掩模版包括:基板,基板被配置為對用于光刻的曝光光束透光,其中,曝光光束處于第一頻帶中;以及光致變色層,光致變色層設(shè)于基板的一側(cè)上且包括光致變色材料,光致變色層被配置為在具有空間結(jié)構(gòu)的調(diào)制光束照射下產(chǎn)生對應(yīng)的掩模版圖案,其中,光致變色材料基于是否被調(diào)制光束中的調(diào)制光照射到而處于對曝光光束的非透光狀態(tài)或透光狀態(tài),且調(diào)制光束處于與第一頻帶分隔開的第二頻帶中。 |
