一種雙向ESD保護(hù)電路
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011546107.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112448380A | 公開(公告)日 | 2021-03-05 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112448380A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-05 |
分類號(hào) | H02H9/04(2006.01)I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
發(fā)明人 | 胡利志 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 成都思瑞浦微電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 陳忠輝 |
地址 | 641400四川省成都市高新區(qū)天辰路88號(hào)3棟2單元201號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明揭示了一種雙向ESD保護(hù)電路,接設(shè)于芯片供電端的引腳PIN與接地端的引腳GND之間,由二極管D1、PMOS管MP1~MP5、電阻R1相接構(gòu)成,其中PMOS管MP1、MP2的漏極、MP4的柵極與引腳PIN相連接,MP4的源極、漏極與MP2的柵極共連相接,PMOS管MP1的源極、MP3的漏極、MP5的柵極與二極管D1的陰極相接于節(jié)點(diǎn)Vminus,MP5的源極、漏極與MP3的柵極共連相接,二極管D1的陽極與引腳GND相接于地,且PMOS管MP2、MP3的共源極和所有PMOS管的襯底均相接于節(jié)點(diǎn)Vbody,電阻R1接入PMOS管MP1的柵極與節(jié)點(diǎn)Vbody之間。應(yīng)用該ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì),在正向靜電或負(fù)向靜電產(chǎn)生時(shí),能利用正向耐高壓的二極管吸收正向靜電,負(fù)向二極管分壓限制;通過簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)和較小的面積占用,提高了ESD保護(hù)的可靠性,有效避免芯片內(nèi)部電路受損。?? |
