GaN HEMT器件的柵極刻蝕方法、器件制備方法、器件、設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210118917.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114582720A 公開（公告）日 2022-06-03
申請公布號 CN114582720A 申請公布日 2022-06-03
分類號 H01L21/308;H01L21/335;H01L29/778 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龐亞楠;陳敏;戴維;歐新華;袁瓊;符志崗;邱星福;劉宗金 申請（專利權(quán)）人 上海芯導(dǎo)電子科技股份有限公司
代理機構(gòu) 上?；坳现R產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐海晟
地址 201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)祖沖之路2277弄7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種GaNHEMT器件的柵極刻蝕方法，包括：刻蝕勢壘層上的P型層；以所述第一圖形化阻擋層為掩模，對所述第一P型層進(jìn)行第一次刻蝕，對剩余的所述第一P型層暴露出來的側(cè)面進(jìn)行第一次化學(xué)處理；在剩余的所述P型層的表面形成第二圖形化阻擋層；以所述第二圖形化阻擋層為掩模，對所述第二P型層進(jìn)行第二次刻蝕，形成臺階結(jié)構(gòu)；對剩余的所述第二P型層暴露出來的側(cè)面以及暴露出來的所述勢壘層的表面進(jìn)行第二次化學(xué)處理；既有效抑制了來自勢壘層的電荷移動，又消除刻蝕過程中產(chǎn)生的P型層的側(cè)壁缺陷和勢壘層的表面缺陷，有效減少了漏電和向柵極的電荷轉(zhuǎn)移，從而提高了閾值電壓的穩(wěn)定性和可靠性，解決了一定程度的長時間使用后會出現(xiàn)漂移現(xiàn)象。