具有通過(guò)粗化的改進(jìn)的光提取的發(fā)光二極管(LED)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210002738.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102593288A 公開(kāi)（公告）日 2012-07-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN102593288A 申請(qǐng)公布日 2012-07-18
分類號(hào) H01L33/02(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱振甫;鄭好鈞;樊峰旭;劉文煌;鄭兆禎 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 旭瑞光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 旭瑞光電股份有限公司;佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
地址 528222 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)科教路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開(kāi)了用于通過(guò)在LED器件上形成n型摻雜氮化鎵(n-GaN)層并且對(duì)所述n-GaN層的表面進(jìn)行粗化以從所述LED器件的內(nèi)部提取光來(lái)制造半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)器件的系統(tǒng)和方法。