一種超低氧鉻片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210339931.5 申請日 -
公開（公告）號 CN102808092B 公開（公告）日 2013-09-18
申請公布號 CN102808092B 申請公布日 2013-09-18
分類號 C22B34/32(2006.01)I;C22B5/12(2006.01)I 分類 冶金；黑色或有色金屬合金；合金或有色金屬的處理;
發(fā)明人 鐘小亮;王廣欣;王樹森 申請（專利權(quán)）人 蘇州晶純新材料有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 汪青
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港市國泰北路1號留學生創(chuàng)業(yè)園D-102
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及超低氧鉻片的制備方法，其包括（1）將電解鉻片加入到坩堝中，關(guān)閉爐門，將爐內(nèi)環(huán)境真空度抽至5.0×10-3Pa或以下，充入1atm純度大于99.9%的氫氣，再將爐內(nèi)環(huán)境真空度抽至5.0×10-3Pa或以下；（2）將爐內(nèi)環(huán)境溫度升至500℃~900℃，持續(xù)保持環(huán)境真空度為5.0×10-3Pa或以下，保溫1~2小時；（3）充入氫氣，使爐內(nèi)環(huán)境氫氣氣壓為1~50Pa，再將爐內(nèi)環(huán)境溫度升至1000℃~1500℃，保溫1~10小時，降至室溫，即得超低氧鉻片，其中持續(xù)通入氫氣以保持爐內(nèi)環(huán)境氣壓為1~50Pa。本發(fā)明可得氧含量低于500ppm的超低氧鉻片，是濺射靶材及特種合金的理想的鉻片原料。