一種高致密鉻合金靶材的生產(chǎn)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210507051.4 申請日 -
公開（公告）號 CN102978576B 公開（公告）日 2014-12-31
申請公布號 CN102978576B 申請公布日 2014-12-31
分類號 C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C22F1/18(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;C22C27/06(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 鐘小亮;王廣欣;王樹森 申請（專利權(quán)）人 蘇州晶純新材料有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 汪青
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港市國泰北路1號留學(xué)生創(chuàng)業(yè)園D-102
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高致密鉻合金靶材的生產(chǎn)方法，其包括依次進行的真空脫氣、階段性升溫加、保壓爐冷、熱鍛、退火、熱軋、退火以及機加工步驟，其中：采用-200目、純度為99.95wt%以上、氧含量為1000ppm以下的鉻粉以及合金金屬的粉體為原料。本發(fā)明能夠成功獲得成分與密度均勻、晶粒大小小于100微米、純度大于99.9%、相對密度大于99%、氧含量小于1000ppm的高致密鉻合金靶材。此外，本發(fā)明方法生產(chǎn)成本低，工藝過程簡單易控。