一種高純低密度ITO靶材及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210297220.6 申請日 -
公開（公告）號 CN102826856B 公開（公告）日 2014-02-26
申請公布號 CN102826856B 申請公布日 2014-02-26
分類號 C23C14/08(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/457(2006.01)I;C04B35/01(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 鐘小亮;王廣欣;王樹森 申請（專利權(quán)）人 蘇州晶純新材料有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 孫仿衛(wèi);汪青
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港市國泰北路1號留學(xué)生創(chuàng)業(yè)園D-102
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及高純低密度ITO靶材及其制備方法，其純度大于等于99.99%，相對密度為55%~65%，平均晶粒尺寸≤50微米，該靶材的制備方法包括（1）提供ITO粉末，并將其液壓成型為坯件；（2）將坯件置于爐中燒結(jié)，爐內(nèi)真空度為10-4~10-3Pa，首先以50~300℃/h的升溫速率升至800℃~900℃，保溫4~24小時后，充入氧氣，然后以100~400℃/h的升溫速率升至900℃~1500℃，保溫4~24小時后以20~100℃/h的降溫速率降至常溫，即得。本發(fā)明ITO靶材可以在高溫條件下蒸發(fā)，而后沉積在玻璃基片上，獲得較低電阻率和較高透光率的導(dǎo)電薄膜，甚至可以在有機材料上獲得ITO導(dǎo)電膜。